Servizio 13: Scavo dei substrati per l'ibridizzazione di dispositivi attivi e realizzazione di incavi profondi nel silicio

Fornito da Scuola Superiore Sant'Anna
 

Questo servizio riguarda un processo di clean-room a livello di wafer di silicio in grado di definire strutture complesse ad alto "aspect ratio" (scavo profondo). Si tratta di un processo essenziale sia per la realizzazione di dispositivi ibridi che integrano strutture in silicio con altri materiali (ad esempio laser in leghe III-V), sia per realizzare strutture MEMS o MOEMS in silicio.